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SPD11N10中文资料

  • 大小:493.2KB
  • 厂家:INFINEON [Infineon Technologies AG]
  • 描述:SIPMOS Power-Transistor
  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:100 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:10.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):170 m Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-252
  • 封装:Reel
  • 下降时间:23 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):5.8 S / 2.6 S
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:50 W
  • 上升时间:46 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 典型关闭延迟时间:29 ns

SPD11N10供应商

更新时间:2023-01-08 20:02:33
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